Modelo de Simulação de um conversor buck síncrono baseado em dispositivos de nitreto de gálio (GAN)
Wesley Josias de Paula1; Denis de Castro Pereira1; Henrique A. C. Braga1; Fernando Lessa Tofoli2
1 Universidade Federal de Juiz de Fora; 2 Universidade Federal de São João del-Rei
Resumo
Este artigo apresenta um modelo de simulação em plataforma SPICE de um conversor buck síncrono utilizando dispositivos semicondutores a base de nitreto de gálio. Além disso, analisa-se a influência das indutâncias parasitas em dispositivos de alta mobilidade de elétrons e nos tradicionais MOSFETs de silício, ambos operando com frequência de comutação da ordem de MHz. Resultados de simulação são apresentados com intuito de realizar uma comparação entre os dois tipos de componentes. Por fim, o desempenho do conversor buck síncrono com e sem a presença de elementos parasitas em alta frequência é analisado segundo o rendimento.
Palavras-chave: Conversor buck síncrono; modelo SPICE; Indutâncias parasitas; GaN